本文主要闡述的就是串聯震蕩晶體和并聯震蕩晶體在實際使用當中具體有什么區別，現在簡述如下：
1、 串聯震蕩晶體：晶體諧振器的一個指標是串聯振蕩頻率(fs, 也就是阻抗最小的頻率)，在此頻率下，晶體表 現出電阻的性質。如果將電容與晶體諧振器串聯，則可以將其引離串聯振蕩頻率。
2、并聯振蕩晶體：如果將附載電容(CL)與晶體諧振器相連，其振蕩頻率將稍高于串聯振蕩頻率;這個頻率被稱為并聯振蕩頻率。定購并聯晶體諧振器的時候，需要說明標稱振蕩頻率和附載 電容的大小(單位為“皮法”，pF)。例如，可以指定一個標準附載電容20pF，然后就可以據 此計算出外接電容的大小。c 此外，需要注意，串聯的晶體諧振器也可以在并聯振蕩電路里發生振蕩，反之亦然。但這樣做會 造成誤差，該誤差小于標稱頻率的0.1%。
以上就是串聯振蕩晶體和并聯振蕩晶體的區別，希望可以對有需要的人有所幫助!
